美光取得单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片专利

2026-01-26 02:42:51　　点击量：

　　国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片”的专利，授权公告号CN114446773B，申请日期为2021年11月。

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