中子高新技术申请异质掺杂钛酸锶单晶焰熔法生长专利防止溢流

2026-01-26 02:54:02　　点击量：

　　金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，中子高新技术产业发展（重庆）有限公司申请一项名为“一种异质掺杂钛酸锶单晶焰熔法生长方法”的专利，公开号CN 119265703 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种异质掺杂钛酸锶单晶焰熔法生长方法，包括如下步骤：取带有掺杂元素的钛酸锶粉体为生产异质掺杂钛酸锶单晶的原料，依次进行形成单晶核、扩肩生长和等径生长，得到异质掺杂钛酸锶晶体；所述扩肩生长过程中，按照氢气和氧气的增量比向炉膛内通入氢气和氧气，2.5:1＜所述氢气和所述氧气的增量比≤3.5:1；带有掺杂元素的钛酸锶粉体的掺杂元素为La、Nd、Sm、Gd、Dy、Er 和 Y 中的任一种。本发明的有益效果是在异质掺杂钛酸锶单晶生长过程中，将氢气、氧气的增量比控制在2.5:1＜氢气和氧气的增量比≤3.5:1，通过过量通入氢气达到降低熔帽边缘温度的作用，进而防止溢流。

　　天眼查资料显示，中子高新技术产业发展（重庆）有限公司，成立于2022年，位于重庆市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中子高新技术产业发展（重庆）有限公司共对外投资了5家企业，专利信息38条。